Ученые из РФ создали двумерный магнит, позволяющий улучшить наноэлектронику

Фото из открытых источников
Российские ученые создали уникальный двумерный магнит, открывающий новые возможности для миниатюризации и расширения функциональности электронных устройств на кремниевой основе. Исследователи из Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" разработали инновационный материал, состоящий из нескольких монослоев атомов алюминия и кремния, дополненных слоем атомов гадолиния для обеспечения магнитных свойств. Об этом сообщается в журнале Small.
 
Ключевым достижением стал оригинальный метод синтеза, позволяющий контролировать толщину материала с точностью до одного монослоя. Благодаря этому ученые смогли получить ультратонкие пленки толщиной от одного до десяти монослоев. Такая точность открывает широкие возможности для создания материалов с различными функциональными характеристиками, что особенно важно для развития наноэлектроники и спинтроники.
 
Особенность разработанного метода заключается в использовании кремниевой подложки не только как основы, но и как активного реагента в процессе синтеза. Это обеспечивает естественную интеграцию нового магнитного материала с существующими кремниевыми технологиями, широко применяемыми в современной электронике.
 
Андрей Токмачев, руководитель проекта и ведущий научный сотрудник лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС-природоподобных технологий, подчеркнул важность исследования химии низких размерностей для создания ранее неизвестных веществ. По его словам, именно такой подход позволил синтезировать новый двумерный магнит с уникальными функциональными свойствами.
 
Разработка российских ученых может стать основой для создания нового поколения электронных устройств, сочетающих в себе компактность, многофункциональность и улучшенные характеристики. Исследование, поддержанное грантом Российского научного фонда, демонстрирует потенциал отечественной науки в области разработки передовых материалов для электроники будущего.